CCD和CMOS探测器

Article text.

-- Peng Wenxi - 2019-07-22

1.Hamamastu-CCD

*背照式CCD面阵传感器 S12101

*see in Selection-guide

2.Gpixel CMOS

* 背照式CMOS面阵GSENSE400BSI

*说明：GSENSE400BSI-TVISB针对长波段的量子效率优化，主要是Epi thickness增厚到10um，因此X射线探测效率也获得了提高。 X射线探测效率计算如下, 钝化层SiO 7.5nm, 抗反射层SiN 63nm，Epi 10um，
QE_theo= T_SiO x T_SiN*(1-T_Si-Epi), T是各层的透过率。

Ref in

* [1] Characterization of a back-illuminated CMOS camera for soft x-ray coherent scattering

*[2] Developments of scientific CMOS as focal plane detector for Einstein Probe mission

3.E2V-CCD

Imaging CCD

Comments